Стенд для исследования свойств полупроводниковых структур методом вольт-фарадных характеристик ФЭ-ВФ

Стенд для исследования свойств полупроводниковых структур методом вольт-фарадных характеристик ФЭ-ВФ

Назначение

Автоматизированные измерения вольт-фарадных и вольтамперных характеристик полупроводниковых структур

Состав аппаратной части
  • Измерительный блок со встроенными образцами
  • Набор внешних образцов
  • Персональный компьютер


Диапазоны измерения емкости образцов: 1000, 300, 100, 30, 10 пФ
Диапазон изменения напряжения смещения на образце: ±10 В
Максимальный постоянный ток смещения: 0 мкА
Частота тестового сигнала: 1 МГц
Амплитуда тестового сигнала на образце: 25, 250 мВ
Количество встроенных образцов: 3
Относительная погрешность измерения емкости: 3 %

    Функциональные возможности

  • Автоматизированные измерения C-V и G-V- характеристик полупроводниковых структур
  • Автоматизированные измерения ВАХ полупроводниковых структур
  • Расчет профиля распределения концентрации легирующей примеси
  • Определение емкости и толщины диэлектрика, сопротивления подложки МДП-структуры
*
*
Цена: по запросу
*
Вернуться в раздел

Документация