Стенд для исследования фотоэлектрических явлений в полупроводниках ФЭ-ОМ

Стенд для исследования фотоэлектрических явлений в полупроводниках ФЭ-ОМ

Назначение

Автоматизированные измерения фотоэлектрических характеристик полупроводниковых материалов и приборов

Состав аппаратной части
  • Измерительный блок
  • Оптическая система с набором светодиодов и фотоприемников
  • Персональный компьютер


Количество источников излучения (светодиодов): 10
Количество источников излучения (светодиодов): 400-1000 нм
Количество приемников излучения: 6
Диапазон изменения напряжения источников излучения: 0-10 В
Диапазон изменения напряжения приемников излучения: 0-6 В
Диапазон измерения тока приемников излучения: 0,3-3000 мкА
Диапазон измерения фото-э.д.с.: 5-500 мВ
Диапазон измерения длительности переходного процесса тока приемников излучения: 0,1-200 мс

Функциональные возможности

  • Автоматизированные измерения люкс-амперных, спектральных, переключательных характеристик фотоприемников
  • Расчет электрофизических параметров исходного материала

Оптическая система с открытой крышкой

Оптическая система с открытой крышкой




Набор светодиодов

Набор светодиодов




Фотоприемники

Фотоприемники


*
Цена: по запросу
*
Вернуться в раздел

Документация

Методические указания по выполнению лабораторной работы