Стенд для исследования биполярных структур ТЭ-БС

Стенд для исследования биполярных структур ТЭ-БС

Стенд для исследования биполярных структур  ТЭ-БС предназначен для автоматизированных измерений характеристик биполярных транзисторов.

Состав аппаратной части

  • Измерительный блок с установленной в него термокамерой и образцами биполярных транзисторов
  • Персональный компьютер


Количество образцов: 4
Диапазон напряжений на переходе: -100 .. +2 В
Максимальное напряжение коллектор - эмиттер: 10 В
Пределы измерения тока: 50; 10; 2; 0,5; 0,1 и 0,02 мА
Основная погрешность измерения ВАХ не более: 0,5 %
Абсолютная погрешность измерения температуры не более: 1 °С
Максимальная температура нагрева: 95 °С
Длительность цикла измерений не более: 1,5 с

Функциональные возможности

Стенд позволяет реализовать цикл лабораторных работ:
  • измерение ВАХ p–n-перехода и сравнение её с идеальной характеристикой,
  • исследование прямой ветви ВАХ различных схем диодного включения транзистора при различных температурах,
  • измерение обратной ветви ВАХ электронно-дырочного перехода при различных температурах,
  • исследование явлений лавинного и туннельного пробоя,
  • измерение входных характеристик транзистора при различных напряжениях на коллекторе и различных температурах,
  • исследование семейства выходных характеристик транзистора при различных температурах,
  • передаточные характеристики и характеристики обратной связи биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

Образцы биполярных транзисторов

Образцы биполярных транзисторов




Измерительный блок с открытой крышкой

Измерительный блок с открытой крышкой

*
*
Цена: по запросу
*
Вернуться в раздел

Документация

Методические указания по выполнению лабораторной работы