Стенд для исследования биполярных структур ТЭ-БС
Стенд для исследования биполярных структур ТЭ-БС предназначен для автоматизированных измерений характеристик биполярных транзисторов.
Состав аппаратной части
- Измерительный блок с установленной в него термокамерой и образцами биполярных транзисторов
- Персональный компьютер
Количество образцов: | 4 |
Диапазон напряжений на переходе: | -100 .. +2 В |
Максимальное напряжение коллектор - эмиттер: | 10 В |
Пределы измерения тока: | 50; 10; 2; 0,5; 0,1 и 0,02 мА |
Основная погрешность измерения ВАХ не более: | 0,5 % |
Абсолютная погрешность измерения температуры не более: | 1 °С |
Максимальная температура нагрева: | 95 °С |
Длительность цикла измерений не более: | 1,5 с |
Функциональные возможности
Стенд позволяет реализовать цикл лабораторных работ:- измерение ВАХ p–n-перехода и сравнение её с идеальной характеристикой,
- исследование прямой ветви ВАХ различных схем диодного включения транзистора при различных температурах,
- измерение обратной ветви ВАХ электронно-дырочного перехода при различных температурах,
- исследование явлений лавинного и туннельного пробоя,
- измерение входных характеристик транзистора при различных напряжениях на коллекторе и различных температурах,
- исследование семейства выходных характеристик транзистора при различных температурах,
- передаточные характеристики и характеристики обратной связи биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.
Образцы биполярных транзисторов
Измерительный блок с открытой крышкой