Рентгеновское исследование кристаллических структур / метод Лауэ с цифровым датчиком рентгеновского изображения (XRIS)

Рентгеновское исследование кристаллических структур / метод Лауэ с цифровым датчиком рентгеновского изображения (XRIS)

Принцип

 Диаграммы Лауэ получают при облучении монокристаллов полихроматическим рентгеновским излучением. В основном этот метод используется для определения симметрии и ориентации кристаллов. Когда монокристалл LiF облучают полихроматическим рентгеновским излучением, получается характерная дифракционная картина.

Задание

  1. Зарегистрируйте с помощью цифрового датчика рентгеновского изображения дифракцию Лауэ монокристалла LiF.

  2. Соотнесите индексы Миллера соответствующих кристаллических поверхностей к отражениям Лауэ.

 

Получите понятие о

   • кристаллические решетки

   • кристаллические системы

• классы кристаллов

• решетка Браве

   • обратная решетка

   • индексы Миллера

   • амплитуда структуры

   • атомный форм-фактор

   • уравнение Брэгга

Получаем понятие о

Получите понятие о

   • кристаллические решетки

   • кристаллические системы

• классы кристаллов

• решетка Браве

   • обратная решетка

   • индексы Миллера

   • амплитуда структуры

   • атомный форм-фактор

   • уравнение Брэгга   

 

Программное обеспечение входит в комплект поставки, компьютер необходимо приобрести дополнительно.

*
*
Цена: по запросу
*
Вернуться в раздел

Документация

p2541602e.pdf

Experiment guide, English