Стенд для исследования свойств полупроводниковых структур методом вольт-фарадных характеристик ФЭ-ВФ
Назначение
Автоматизированные измерения вольт-фарадных и вольтамперных характеристик полупроводниковых структурСостав аппаратной части
- Измерительный блок со встроенными образцами
- Набор внешних образцов
- Персональный компьютер
| Диапазоны измерения емкости образцов: | 1000, 300, 100, 30, 10 пФ |
| Диапазон изменения напряжения смещения на образце: | ±10 В |
| Максимальный постоянный ток смещения: | 0 мкА |
| Частота тестового сигнала: | 1 МГц |
| Амплитуда тестового сигнала на образце: | 25, 250 мВ |
| Количество встроенных образцов: | 3 |
| Относительная погрешность измерения емкости: | 3 % |
- Автоматизированные измерения C-V и G-V- характеристик полупроводниковых структур
- Автоматизированные измерения ВАХ полупроводниковых структур
- Расчет профиля распределения концентрации легирующей примеси
- Определение емкости и толщины диэлектрика, сопротивления подложки МДП-структуры
